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Schottky Diode 400A 80V Twin Tower MBR40080CT

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  • Naina
  • MBR40080CT

Schottky Diode 400A 80V Twin Tower NAINA _Semiconductor RoHS konform / compliant...mehr
Naina MBR40080CT
Type: Schottky Diode
Dauer-Durchlassstrom A: 400
DC-Sperrspannung (VDC) V: 80
Stoßstrom-Grenzwert (IFSM) A: 3000
max. Spitzen-Sperrspannung (VRRM) V: 80
Gehäuse: Twin Tower
Betriebstemperatur: -40C° bis +175C°
Hersteller: NAINA Semiconductor

Schottky Diode 400A 80V Twin Tower
NAINA_Semiconductor
RoHS konform / compliant
Ursprungsland / Country of Origin: India
Zolltarifnummer / Customs Code: 85411000

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