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FRD 100V 300A Twin Tower MUR30010CT

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  • Naina
  • MUR30010CT

Fast Recovery Diode 100V 300A Twin Tower NAINA _Semiconductor RoHS konform / compliant...mehr
Naina MUR30010CT
Type: Fast Recovery Diode
Gehäuse: Twin Tower
Strom A: 300, 300
max. Spannung (VRRM) V: 100
max. Spannungsabfall (VDC) V: 100
Stoßstromgrenzwert (IFSM) A: 1500
Betriebstemperatur: -40 ~ +175C°
Hersteller: NAINA Semiconductor

Fast Recovery Diode 100V 300A Twin Tower
NAINA_Semiconductor
RoHS konform / compliant
Ursprungsland / Country of Origin: India
Zolltarifnummer / Customs Code: 85411000

Merkmale:
- duale Diodenkonstruktion
- niedriger Leckstrom
- niedriger Vorwärtsspannungsabfall
- hohe Stoßstromfähigkeit
- superschnelles Schalten

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