Fast Recovery Diode 100V 100A Twin Tower MUR10010CTR

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Artikel-Nr.: 278012053
Hersteller: Naina
Orig. Hersteller Art-Nr:
MUR10010CTR

Fast Recovery Diode 100V 100A Twin Tower NAINA _Semiconductor RoHS konform / compliant...mehr

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Naina MUR10010CTR

Type:	Fast Recovery Diode
Gehäuse:	Twin Tower
Strom A:	100
max. Spannung (VRRM) V:	100
max. Spannungsabfall (VDC) V:	100
Stoßstromgrenzwert (IFSM) A:	400
Betriebstemperatur:	-40 ~ +175C°
Hersteller:	NAINA Semiconductor

Fast Recovery Diode 100V 100A Twin Tower
NAINA_Semiconductor
RoHS konform / compliant
Ursprungsland / Country of Origin: India
Zolltarifnummer / Customs Code: 85411000

Merkmale:
- duale Diodenkonstruktion
- niedriger Leckstrom
- niedriger Vorwärtsspannungsabfall
- hohe Stoßstromfähigkeit
- superschnelles Schalten

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