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FRD 100V 100A Twin Tower MUR10010CT

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  • Naina
  • MUR10010CT

Fast Recovery Diode 100V 100A Twin Tower NAINA _Semiconductor RoHS konform / compliant...mehr
Naina MUR10010CT
Type: Fast Recovery Diode
Dauer-Durchlassstrom A: 100
max. Spannungsabfall (VDC) V: 100
Stoßstrom-Grenzwert (IFSM) A: 400
max. Spitzen-Sperrspannung (VRRM) V: 100
Gehäuse: Twin Tower
Betriebstemperatur: -40C° bis +175C°
Hersteller: NAINA Semiconductor

Fast Recovery Diode 100V 100A Twin Tower
NAINA_Semiconductor
RoHS konform / compliant
Ursprungsland / Country of Origin: India
Zolltarifnummer / Customs Code: 85411000

Merkmale:
- duale Diodenkonstruktion
- niedriger Leckstrom
- niedriger Vorwärtsspannungsabfall
- hohe Stoßstromfähigkeit
- superschnelles Schalten

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