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Fast Recovery Diode 100V 50A DO-5 MUR5010

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FAST RECOVERY DIODE 100V 50A DO-5 NAINA _Semiconductor RoHS konform / compliant...mehr
Naina MUR5010
Type: Fast Recovery Diode
Dauer-Durchlassstrom A: 50
max. Spannungsabfall (VDC) V: 100
Stoßstrom-Grenzwert (IFSM) A: 600
max. Spitzen-Sperrspannung (VRRM) V: 100
Gehäuse: DO-5
Betriebstemperatur: -60C° bis +150C°
Gewicht g: 17
Hersteller: NAINA Semiconductor

FAST RECOVERY DIODE 100V 50A DO-5
NAINA_Semiconductor
RoHS konform / compliant
Ursprungsland / Country of Origin: India
Zolltarifnummer / Customs Code: 85411000

Merkmale:
- glaspassivierter Chip
- niedriger Vorwärtsspannungsabfall
- hohe Überspannungsfestigkeit
- niedriger Leckstrom
- normale und umgekehrte Polarität
- Metrische und UNF-Gewinde verfügbar

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